Des chercheurs du Korea Electric Research Institute (KERI) ont identifié l'origine d'un défaut critique affectant la production de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC). Ce "défaut tueur", comme il est surnommé, compromet la fiabilité et les performances de ces composants essentiels. L'étude, publiée dans une revue académique internationale, détaille les mécanismes à l'œuvre lors de la formation de ces défauts durant le processus de fabrication. La découverte permettrait d'améliorer significativement la qualité et le rendement de la production de SiC, un matériau clé pour les applications énergétiques de nouvelle génération. Les semi-conducteurs en SiC sont de plus en plus utilisés dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures de transmission d'électricité. Cette avancée pourrait donc avoir un impact important sur ces secteurs. L'identification précise de ce défaut représente une étape cruciale pour le développement de semi-conducteurs de puissance plus performants et fiables.