Investigadores del Instituto de Investigación Eléctrica de Corea (KERI) han identificado la causa principal de los “defectos asesinos” que afectan la producción de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC). Estos defectos, que limitan el rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos, han sido un obstáculo significativo para el avance de esta tecnología. El KERI logró determinar el origen de estos fallos a través de un análisis exhaustivo del proceso de fabricación. Los resultados de la investigación fueron publicados en una prestigiosa revista académica internacional, destacando la importancia del hallazgo. Este avance podría impulsar la producción de semiconductores de potencia de SiC más eficientes y confiables. La tecnología SiC es crucial para aplicaciones en vehículos eléctricos, energías renovables y sistemas de transmisión de energía. La identificación de este defecto representa un paso importante para la industria surcoreana y global de semiconductores.